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145GHz光電探測器模塊(單模光纖) 產(chǎn)品總覽 該產(chǎn)品是為數(shù)據(jù)通信（ 1T/bs PAM），電信和微波光子應(yīng)用而研發(fā)的145GHz超快光電探測器模塊。

硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm APD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時間響應(yīng)、低暗電流和高靈敏度。光譜響應(yīng)范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設(shè)計。

1064nm 四象限Si光電探測器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W) 器件是N型硅象限探測器，當(dāng)光輻射到器件各個象限的輻射通量相等時，則各個象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時，由于象限間輻射通量的變化，引起各個象限的輸出光電流的變化，由此可測出物體的方位，從而起到跟蹤、制導(dǎo)的作用。

1064nm 四象限Si光電探測器( 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W) 產(chǎn)品應(yīng)用 ● 激光瞄準(zhǔn)、制導(dǎo)跟蹤及探索裝置 ● 激光微定位、位移監(jiān)控等精密測量系統(tǒng)

硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 C30902EH高性能硅雪崩光電二極管(APD)的感光面直徑為0.5 mm，適合于生物醫(yī)學(xué)和分析應(yīng)用。 這種Si APD設(shè)計為雙擴散“穿透式”結(jié)構(gòu)，可在400和1000 nm之間提供高響應(yīng)度，以及在所有波長處都極快的上升和下降時間。