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  • 中紅外兩級TE冷卻光浸式光電探測器

    2-12μm MCT 中紅外兩級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-2TE系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的兩級熱電冷卻紅外光電探測器，具有好的性能和穩定性，同時采用光學浸入來改善器件的參數。探測器在λopt時具有好性能。

    更新時間：2024-12-04
    產品型號：
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  • 中紅外MCT三級熱電冷卻紅外光電探測器

    2-12μm 中紅外MCT三級熱電冷卻紅外光電探測器, 帶TEC ,PV-3TE系列是基于復雜的MCT異質結構的三級熱電冷卻紅外光電探測器，具有好的性能和穩定性。探測器在λopt時達到好性能。起始波長可根據需要進行優化。

    更新時間：2024-12-04
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  • 1-15um 中紅外光浸沒式MCT兩級TE冷卻光電導探測器 PCI-2TE系列 TO8

    1-15um 中紅外光浸沒式MCT兩級TE冷卻光電導探測器 PCI-2TE系列 TO8 PCI-2TE系列是基于復雜的MCT異質結構的兩級熱電冷卻紅外光電導探測器，采用光學浸沒來提高器件的性能，具有優秀的性能和穩定性。

    更新時間：2025-07-10
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  • 3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器

    3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe器件在λ_opt時達到好性能。波長分割可根據需求進行優化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應速度和動態范圍的同時提高高頻下的性能，但偏置器件中出現的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性能。

    更新時間：2024-12-04
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  • MCT-PEMI-10.6-2×22-12μmMCT 光浸式紅外非冷卻光電磁探測器

    光電磁MCT紅外光伏探測器 2.0-12.0um PEMI系列在10.6 μm處探測性能最佳，是一款特別適用于探測連續波和低頻調制輻射的大感光面探測器。這款探測器被安裝在內部含有磁性電路的特殊包裝中。3°楔形硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗戶，可以防止不必要的干擾影響和污染。

    更新時間：2024-12-04
    產品型號：MCT-PEMI-10.6-2×2
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