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產(chǎn)品中心
光電探測(cè)器
Si硅光電二極管
product
產(chǎn)品分類硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 C30902EH高性能硅雪崩光電二極管(APD)的感光面直徑為0.5 mm,適合于生物醫(yī)學(xué)和分析應(yīng)用。 這種Si APD設(shè)計(jì)為雙擴(kuò)散“穿透式”結(jié)構(gòu),可在400和1000 nm之間提供高響應(yīng)度,以及在所有波長(zhǎng)處都極快的上升和下降時(shí)間。
更新時(shí)間:2024-12-05
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905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑:0.23mm TO46) 硅雪崩光電二極管,光譜響應(yīng)范圍從可見光到近紅外,峰值響應(yīng)波長(zhǎng)905nm。大光敏面,高速響應(yīng),高增益,低噪聲。
更新時(shí)間:2024-12-05
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硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm光敏面直徑0.5mm LCC3) 硅雪崩光電二極管,光譜響應(yīng)范圍從可見光到近紅外,峰值響應(yīng)波長(zhǎng)905nm。大光敏面,高速響應(yīng),高增益,低噪聲。
更新時(shí)間:2024-12-05
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2mm SI光電探測(cè)器 (二極管) 光纖通信、傳感、測(cè)距 可見光至近紅外領(lǐng)域的光探測(cè) 快速光脈沖檢測(cè) 各種工業(yè)控制系統(tǒng)。
更新時(shí)間:2024-12-05
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超快SI光電探測(cè)器,光敏面直徑0.2mm 器件為硅PIN 光電二極管,在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm。
更新時(shí)間:2024-12-05
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